亲爱的朋友们：

2026CIOE中国光博会期间，很高兴与许久未见的旧友重逢，也结识了众多深耕光电领域的新伙伴。展台上每一次驻足交流、每一场技术探讨，都让我们更真切地感受到行业同频跃动的脉搏。

此次滨松以「红外分析」「精密工控与传感」「成像调制与激光器」「半导体量检测」四大主题展区亮相，与大家一同回望技术积淀，也共话下一程的机遇。

红外分析
1、持续迭代的NIR电倍增管（PMT）：从1959年滨松带来世界第一只侧窗PMT开始，材料技术、电子光学、封装技术一直在升级。经典产品R928目前已五代同堂，本次展区呈现了在短波近红外区不断突破的PMT产品，如R13096、R16571等，展现经典产品线的持续优化。

2、为不同应用优化的InGaAs探测器：针对拉曼光谱、色选，高光谱等应用，展示了各类面阵与线阵探测器。

3、微型化光谱仪：重点呈现集成MOEMS技术的小型化产品，包括光栅型微型光谱仪和微型FTIR，体积小巧、性能出色，体现了便携式分析的发展趋势。

4、先进材料红外探测器：展示基于InAs、InSb、InAsSb及二类超晶格等材料的高性能探测器，覆盖中红外波段，多种截止波长可选，为中红外分析提供更多高速，高可靠性探测器产品。 

5、重磅新品：新推出了P17442-011MS室温MIR PD探测器，截止波长5 μm。环境友好，符合RoHS，相比上一代产品具有更大的受光面（1.0 mm × 1.0 mm）和更高的灵敏度，支持-40℃到85℃内可靠工作，其出色的响应性、线性度及稳定性，使其适合与快速脉冲或直流、高功率光源配合使用，从而能够实现长时间的可靠测量。

我们希望通过展示这些产品，为环境监测（AQI NOX/温室气体）、NDIR气体分析、色选分析、高光谱成像、石油化工PAT、农产品分析、实验室光谱仪等领域，提供从基础探测到系统集成、从实验室到现场应用的多样化选择与支持。

精密工控与传感
在精密工控与传感展区，我们重点呈现了滨松光半导体器件的定制化能力。从客户提出波长、尺寸、光强、接口乃至CE/FDA/AEC等认证需求开始，由团队完成感光区、封装与电路的一体化设计，再经过光谱响应、应力、热学与电路的多轮仿真验证，出样机后依据实测数据回调参数，确认后锁定量产规格，最终依托自身晶圆与封装能力实现稳定供货，后续也持续跟进下一代应用需求。

在安全防护领域，我们针对工厂、储能站、交通工具等高危场景，提供了灵敏、可靠的火焰、烟雾及放电探测解决方案，为生命与财产安全保障贡献技术力量。

成像、调制与激光器
基于核心光子晶体光纤技术，滨松构建了从超连续谱、单频到超快激光器的完整光源矩阵，并同步呈现光操控调制与末端探测的全链路方案。

光源矩阵：①超连续谱激光器：覆盖390–2400 nm超宽光谱，10000小时预期寿命；单模输出（M²<1.1），皮秒脉冲，重频/带宽实时可调，鲁棒免维护，适配光谱检测与成像系统。②超快激光器：适用红外飞秒与皮秒系统，20000小时预期寿命支持24/7免维护运行；高指向与高脉冲稳定性，衍射极限光束质量，面向精密加工与前沿科研。

光操控调制：LCOS-SLM空间光调制器针对参数内每隔1 nm波长进行线性度矫正，全波段无需标定即可实现高精度相位调制（光利用率97%），平均功率阈值高至1.8 kW；配套纯振幅系统及升级算法，提供灵活软硬件调控支持。

探测端：①新一代qCMOS单光子相机：实现低噪声至光子定量跃迁，光子定量模式帧速提升5倍，紫外量子效率提升1倍，支持120 FPS@4096×2304高速成像；②高灵敏度InGaAs相机：覆盖400–1700 nm宽光谱，20 μm大像元，低至-70℃深度制冷，提供近红外极低噪声探测方案。

半导体量检测
当AI芯片、HBM存储与3 nm制程将制造精度推向物理极限，量检测设备直接决定了半导体制造的良率。滨松在该领域的核心定位是提供底层核心部件与失效分析设备。其产品覆盖新能源（IGBT、MOSFET）、GPU/CPU、数据中心（Si及InGaAs光通信芯片）以及存储芯片（NAND、DRAM）四大应用场景。

在核心部件方面，滨松为膜厚测量、Overlay、暗场检测、电子束检测等设备提供LDLS激光驱动白光光源、SuperK超连续谱激光器、光电倍增管器件、电子探测器模块等。用于先进封装中的微焦点X射线源、QPM定量相位显微成像模块，以及各类探测器、相机和Hypergauge等关键元器件和模块，构成高端量检测设备的底层基石。

在失效分析端，滨松提供正置式、倒置式及双面式微光显微镜，针对上述各类芯片的复杂结构，能够精准定位设计或制程中的隐性缺陷。滨松通过核心部件与失效分析设备的双重布局，致力于推动半导体产业发展。

展会虽已落幕，交流仍在继续。感谢每一位莅临展台的朋友，滨松期待与您在下一次相聚中，共同探索光电技术的更多可能。