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EVG®850LT SOI和直接晶圆键合

基本信息
产品名称:
EVG®850LT SOI和直接晶圆键合
英文名称:
EVG®850 LT Automated Production Bonding System
国产/进口:
进口
产地/品牌:
奥地利
型号:
EVG®850 LT
参考报价:
0
总点击数:
764
更新日期:
2025-05-21
产品类别:

性能参数
EVG®850 LT
Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding
EVG®850LT   SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统
 
自动化生产键合系统,适用于多种融合/分子晶圆键合应用
 
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,融合了熔合的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。
 
特征
利用EVG的LowTemp™等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种融合/分子晶圆键合应用       ;生产系统可在高通量,高产量环境中运行
盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP);         无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁;                    ;   机械平整或缺口对齐的预粘合
先进的远程诊断技术数据
晶圆直径(基板尺寸)100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预粘接室
对齐类型:平面到平面或凹口到凹口
对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°
结合力:最高5 N
键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活
真空系统:9x10-2 mbar(标准)和9x10-3 mbar(涡轮泵选件)
LowTemp™等离子激活模块
2种标准工艺气体:N2和O2,以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和合成气(N2,Ar和H4含量最高)
通用质量流量控制器:最多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速最高可达到20.000 sccm
真空系统:9x10-2 mbar(标准)和9x10-3 mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹
 
配单元:清洁站;清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选);    腔室:由PP或PFA制成
清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(最大)。 2%浓度(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成;
旋转:最高3000 rpm(5 s)
清洁臂:最多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)
可选功能:ISO 3迷你环境(根据ISO 14644);  LowTemp™等离子活化室
红外检查站
 
 
公司简介
上海银雀科技成立于 1998 年,成立以来一直专注于半导体工艺设备、微纳米加工平台等领域的设备集成供应和技术服务。MEMS、3D 封装、化合物半导体、微波器件、功率器件等众多领域。目前公司已经与众多微电子、半导体设备行业的国际知名企业建立了良好的合作关系;EVG(光刻、键合)、Bruker(微纳检测)、TESCAN(扫描电镜) 是其中几家重要的合作伙伴。

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详细地址:
上海市嘉定工业区叶城路
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