AZ®4500系列
具有最佳粘附力的厚光刻胶
特点：
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）是正性厚光刻胶，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能：
l  优化对所有常见基材的附着力
l  宽广的工艺参数窗口，可实现稳定且可重复的光刻工艺
l  与所有常见的显影液兼容（基于KOH或TMAH）
l  与所有常见的去胶剂兼容（例如AZ100去胶剂、有机溶剂或碱性溶剂）
l  对g，h和i线敏感（约320-440 nm）
l  光刻胶厚度范围约 3-30微米
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）的溶剂浓度不同，可达到的光刻胶膜厚有较大的范围：

光刻胶型号	光刻胶膜厚范围	包装规格
AZ ® 4533	转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达2.5-5 µm。	多规格包装，如1L、2.5L等
AZ ® 4562	转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达4.5-10 µm；调整旋转轮廓（中等旋涂速度下短时间旋涂），可达30 µm膜厚。	多规格包装，如1L、2.5L等

 
若光刻胶膜厚度 30 µm？
通常，AZ®4562可以用来涂覆厚度达30微米及以上。然而，在该厚度范围内，软烘烤、曝光、显影等变得非常耗时。此外，如果涂得太厚，AZ®4562也可能在曝光期间形成N2气泡。 因此，对于厚度大于30 µm的光刻胶膜厚度，强烈建议使用化学放大的AZ®40 XT光刻胶。
 
显影液——适用于AZ ® 4500光刻胶
如果可以使用含金属离子的显影液，可使用1：4稀释的KOH基AZ®400K作为显影液（对于更高的光刻胶膜厚度，可用1：3.5 - 1：1的稀释浓度）。
如果必须使用不含金属离子的显影液，我们建议使用基于TMAH基的AZ®326 MIF，AZ®726 MIF或AZ®826 MIF显影剂（未稀释）。
 
去胶剂——适用于AZ ® 4500光刻胶
对于非交联的光刻胶薄膜，可以使用AZ®100作为去胶剂，DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。 如果光刻胶膜已交联（例如，在干法蚀刻等离子工艺或离子注入时，> 140°C的高温步骤时），我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。
 
 
 
 
 
 
 
 
产品数据表
一般信息
该系列正性光刻胶适用于要求涂层厚度大于3 µm的应用。当使用厚度大于3 µm的标准光刻胶时，所需的曝光能量会急剧增加。这是由于光活性化合物（PAC）在光谱的光化范围内的吸收。因此，随着膜厚度的增加，必须调整曝光剂量以在光致抗蚀剂的底部也提供足够的能量，否则图案不能被清除。在极端情况下，几乎不可能正确地曝光抗蚀剂，必须施加高于1000 mJ /cm²的曝光剂量。在这些条件下，还会出现不希望的副作用：光致抗蚀剂表面的剂量变得过高，并导致抗蚀剂发生交联。此效果类似于众所周知的深紫外硬化，该硬化用于在最高200°C的烘烤后温度下保持抗蚀剂轮廓。标准抗蚀剂还会在曝光过程中产生过多的氮，这会困在厚层中，不能足够快地扩散，并可能导致抗蚀剂浮起。
 
对于AZ 4500系列光刻胶，我们选择了一种特殊的光敏化合物，该化合物具有低吸收性和较低的氮含量，因此这些光刻胶的使用厚度可达50 µm。 最高粘度的产品AZ 4562允许一步涂（2000 rpm）旋涂10 µm。 对于更高的厚度，必须采用特殊的涂层技术：
 

• 大约30-40秒的通用旋转时间减少到只有3秒。 以此获得20 µm，但是必须将基板水平放置在旋转器上一分钟，以便干燥。

 

• AZ 4562可以在其间进行多次烘烤循环涂覆。 由于该抗蚀剂的高固体含量接近溶解极限，因此下层涂料仅会溶解很少。 中间的烘烤温度不应超过90°C或最终的预烘烤温度。

 
当使用高膜厚时，必须遵守一些特殊准则：涂完抗蚀剂后，应将其在室温下保持至少15分钟，以使大部分溶剂蒸发，然后将其放入烤箱进行预烘烤。 否则，抗蚀剂表面将很快干燥，残留在主体中的残留溶剂可能会形成气泡并抬起抗蚀剂膜。 结果是粘合失败。 使用电炉代替烤箱是更好的选择，尤其是当温度上升到最终值时。
 
高膜厚也必须采用显影工艺：为此的背景是这样的事实，即即使是过度曝光的正性光刻胶也只能具有有限的溶解速率。 在大约100 nm / s的值处存在饱和。 为此，建议以约2 µm / min的显影速度运行。 并调整曝光剂量以达到适当的清除效果和特征尺寸。
 
该抗蚀剂系列设计用于任何常见的钠和钾基显影剂。 用水稀释1：4的AZ 351B是不错的选择，也可以使用AZ 400K。