电子束光刻系统

日本 CRESTEC 是世界上制造专业电子束光刻设备的知名厂商之一，其制造的电子束光刻机以其独特的专业技术，超高的电子束稳定性，电子束定位精度以及拼接套刻精度赢得了世界上著名科研机构以及半导体公司的青睐。其中 CABL 系列更是世界上最优秀的产品之一。

CRESTEC CABL 系列采用专业的恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部精密传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了极大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。

由于 EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。

CRESTEC CABL 系列采用其独有的技术使其具有极高的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。

Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm

该图是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于 10 nm.（实验室数据）。

CRESTEC CABL 系列还可以加工制备 10 nm 以下的线条，无论半导体行业还是在其它领域

CRESTEC 的电子束光刻产品都发挥了巨大的作用。

主要特点：

1.采用高亮度和高稳定性的 TFE 电子枪

2.出色的电子束偏转控制技术                                      3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达 0.0012nm

4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达 0.01mrad

5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。

20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

技术参数：                         1.最小线宽：小于 10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV

3. 电 子 束 直 径 ： 小 于      2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ)                                    5.拼接精度：20nm(mean+2σ)                                    6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)

7.描电镜分辨率：小于 2nm

CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)

技术参数：

加速电压：最高 130keV

单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电

电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm

双热控制，实现超稳定直写能力