单晶硅片
单晶硅片参数
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生长方法
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直拉CZ
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直径与公差 (mm)
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150.0 ± 0.2
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型号/掺杂剂
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P型/硼
N型/磷、砷、锑
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晶向
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<100> / <111>
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电阻率 (Ω.cm)
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0.003-50
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径向电阻率变化 (%)
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P< 6
N型 < 25
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氧含量与公差
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5.0-7.8 × ± 0.5
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径向氧含量变化 (%)
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< 5
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碳含量 (at )
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≤ 2.0×
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金属铁含量 (at )
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≤ 1.0×
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表面金属 (at)
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铜 / 铬 / 铁 / 镍 ≤ 5.0×
铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙 ≤ 2.0× |
厚度 (微米)
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按SEMI标准或用户要求
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厚度公差 (微米)
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±15或用户要求
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总厚度变化 TTV (微米)
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< 2.5
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平整度 TIR (微米)
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< 1.2
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局部平整度 STIRmax (微米)
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< 0.3
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翘曲度 (微米)
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< 30
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颗粒 (# per wafer)
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< 30 (for size > 0.2 微米)
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产品编号
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规格
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KLX
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2英寸
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KLX
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3英寸
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KLX
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4英寸
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根据客户要求定做任意规格的硅片
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