氮化硅支持膜

 PELCO®氮化硅支持膜是在以EM工业标准的3mm直径圆形基片上，由四种窗口尺寸和8,15,35,50nm或200nm薄膜厚度的组合而成，是目前的市场上最理想和最有用的氮化硅支持膜。

Tomography型SiN支持膜 

氮化硅载体薄膜具有化学和机械稳定的优点，可承受高达1000°C的温度变化。 它们非常稳定，所以适合于直接对支持膜上的颗粒或细胞进行各种纳米技术实验。

PELCO®氮化硅支持膜是几乎所有纳米技术研究领域不可或缺的工具。 它们可以在宽温度范围内直接沉积和原位观察动态反应。

铁纳米颗粒被分散在SiN支持膜上，并于350°C氧化。图像显示了氧化后的产物：中空氧化钛纳米颗粒。

Haitao Liu， Dept. of Chemistry， UC Berkeley， California.

蒙特卡罗模拟显示50nm 氮化硅支持膜具有吸收更少，散射更低。50nm支持膜成像、分析性能卓越。

PELCO® 氮化硅支持膜采用最先进的半导体和MEMS 制造技术生产，其优势在于：

• 8、15、35、50nm 氮化硅支持膜弹性好、张力小

  • 强度高，可直接进行材料沉积和样品操纵

  • 50nm膜厚具有最大的观察区

  • 8和15nm膜厚的支持膜，无孔，用于超高分辨应用

• 200nm厚氮化硅支持膜强度高，张力小

  • 用于多种处理

• 特殊窗格，用于TEM Tomography应用

  • 0.5x1.5mm大窗设计主要用于高倾斜（可至75°）tomography应用  

• 多窗型

  • 2个独立的0.1 x 1.5mm窗格

  • 3x3 阵列（含9个 0.1 x 0.1mm窗格）

• 多重显微分析能力

  • 氮化硅支持膜的机械稳定性可使其同时进行TEM、SEM、EDX、XPS、AFM等多种分析

• 支持膜耐溶剂、酸及碱

  • 样品可在酸、碱条件下研究、合成、操纵。

• 适合高温实验

• 可承受1000° C以上高温。

• 对含碳样品提供更准确的分析，并减少污染发生

  • TEM成像与分析时的无碳背景

• 支持膜清洁容易

  • 物理、化学性能稳定，使用辉光放电或离子清洗技术可容易地清洁支持膜，不建议用超声波清洗。

• 超平整背景

  • 适合沉积纳米颗粒与薄膜

  • 因无背景结构，非常适合SEM成像

• 洁净生产过程，避免支持膜上出现污染颗粒

  • 边缘完整不断裂，不含污染物，在100级（US Fed Standard 209E）清洁环境下包装

• 窗格厚度 200µm 和50µm

  • 200µm ，适合标准载网样品架

  • 50µm，适合特殊载网样品架

• 工业标准3mm直接圆片

  • 完全适合标准TEM样品架，提供边缘可处理的EasyGrip™，亦提供强度更高的硅片

• 相同批次支持膜性能相同

  • 适合系列样品间的比较

  • 提供亲水性/憎水性改性表面与多孔膜

应用领域：

• 细胞生物学

• 悬浮液、气溶胶、纳米颗粒分析

• 自组装单层

• 聚合物研究

• 薄膜研究

• 材料科学

• 半导体装置纳米结构性能

• 半导体：薄膜表征

• 催化剂开发

氮化硅支持膜混合装

The Silicon Nitride Assortment Pack

15nmSi3N4支持膜，窗格0.25x0.25mm，1个
15nmSi3N4支持膜，9个0.1x0.1mm窗格，1个
50nmSi3N4支持膜，0.25x0.25mm窗格，1个
50nmSi3N4支持膜， 9个0.1x0.1mm窗格，1个
50nmSi3N4支持膜， 0.5x0.5mm窗格，1个
50nmSi3N4支持膜0.75x0.75mm窗格，1个
200nmSi3N4支持膜， 0.25x0.25mm窗格，1个
50nmSi3N4支持膜0.5x0.5mm窗格，1个
40nm SiO2支持膜， 0.5x0.5mm窗格，1个
200nm多孔Si3N4支持膜，2.5um孔， 0.5x0.5mm窗格，1个