InGaAs系列制冷型铟镓砷探测器
.png)

| G12181-230K 长波长类型(截止波长:1.85 μm) - 截止波长:1.85 μm - 两级电子冷却型 - 低成本 - 受光面:φ3 mm - 低噪声 - 高灵敏度 - 高可靠性 - 高速响应 |
G12183-230K 长波长类型(截止波长:2.55 μm) - 截止波长:2.55 μm - 两级电子冷却型 - 低成本 - 受光面:φ3 mm - 低噪声 - 高灵敏度 - 高可靠性 - 高速响应 |
| 型号/参数 | G12181-030K | G12183-230K |
| 受光面 | φ3.0 mm | φ3.0 mm |
| 像素数 | 1 | 1 |
| 封装 | 金属 | 金属 |
| 封装类别 | TO-8 | TO-8 |
| 散热 | 两级电子冷却型 | 两级电子冷却型 |
| 灵敏度波长范围 | 0.9 到 1.85 μm | 0.9 到 2.55 μm |
| 最大灵敏度波长(典型值) | 1.75 μm | 2.3 μm |
| 感光灵敏度(典型值) | 1.1 A/W | 1.3 A/W |
| 暗电流(最大值) | 50 nA | 60000 nA |
| 截止频率(典型值) | 1.9 MHz | 1 MHz |
| 结电容(典型值) | 1700 pF | 3200 pF |
| 噪声等效功率(典型值) | 3.5×10-14 W/Hz1/2 | 6×10-13 W/Hz1/2 |
| 测量条件 | 典型值 Tc=-20°C,除非另有说明,感光灵敏度:λ=λp,暗电流:VR=0.5 V,截止频率:VR=0V,RL=50Ω,结电容:VR=0V,f=1MHz | 典型值 Tc=-20°C,除非另有说明,感光灵敏度:λ=λp,暗电流:VR=0.5 V,截止频率:VR=0 V,RL=50Ω,结电容:VR=0V,f =1MHz |



| 单位名称: |
|
详细地址:
上海市浦东新区叠桥路456弄创研智造C7区301室
|
|
qq:
|
| 联系电话: |
| Email: |