近红外显微镜

MIR200近红外金相显微镜——硅基无损红外透视显微解决方案

半导体（硅基）

初代半导体是单质材料，因此也被称为“元素半导体”。世界上首只晶体管是由锗（Ge）生产出来的，但锗的非必要能耗与器件耗损，以及储量和价格，相较硅来说不具优势。硅（包括硅基）器件占到了销售的初代半导体产品95%以上。

国内前三晶圆代工厂，12寸晶圆无损穿透案例：效果图片请电话联系我司

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MIR全系列工业显微镜,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸，能够穿透样品表面，进行无损观察检测，检测效果好、速度快，大幅提升了客户效率。本系列显微镜可根据客户要求定制滤片、镜头、相机、平台，可搭配自动传动设备。

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初代半导体（硅基）

薄膜型黏晶材料主要应用于堆叠式晶片级封装体（Stacked Chip Scale Package,SCSP）中，对于两种黏晶材料DAF(Die Attach Film)与FOW(Film Over Wire)，公司红外穿透显微镜结合特殊观察方式，能够轻松穿透两种黏晶材料。

国内早期LED制造企业之一，6寸晶圆无损穿透硅片背面及DAF膜案例：效果图片请电话联系我司

半导体（硅基）图片赏析：效果图片请电话联系我司

已交付近50家国内客户用于硅（硅基）产品，以下为MIR200近红外显微镜拍摄效果图片。

半导体（硅基）图片赏析

已交付近50家国内客户用于硅（硅基）产品，以下为MIR200近红外显微镜拍摄效果图片。效果图片请电话联系我司
 

红外金相显微镜应用范围：

1.封装芯片,晶圆级CSP/SIP的非破坏检查,倒装芯片封装的不良状况无损分析,

透过硅观察IC芯片内部；IR近红外线显微镜,可以对SiP（System in Package）三维组装,CSP（Chip Size Package）等用可视观察无法看到的领域进行无损

检查和分析，正置红外显微镜,专用红外硅片检测显微镜,硅衬底的CSP观察。

2.Vcsel芯片隐裂（cracks),InGaAs瑕疵红外无损检测,LED LD芯片出光面积

测量,Chipping(chip crack)失效分析,封装芯片的内部缺陷，焊点检查,

键合片bumping,FlipChip正反面键合定位标记重合误差无损测量,可以定制

开发软件模块快速自动测量重合误差,硅基半导体Wafer,碲化镉CdTe ,

碲镉汞HgCdTe等化合物衬底无损红外检测,太阳能电池组件综合缺陷，

红外检测,LCD RGB像元面积测量。

3.IR显微镜可用于透过硅材料成像,倒装芯片封装的不良状况无损分析,通过

红外显微镜对硅片穿透可观察晶体生长过程中的位错,隐裂痕,芯片划片

封装的不良状况无损分析,封装后的焊接部分检查,可直接穿透厚度不超过

600μm的硅片,观察IC芯片内部,观察内部线路断裂,崩边,崩裂,溢出等,也

应用于包括产品晶圆生产内部缺陷检查,短断路检查,键合对准（薄键合电路）。