近红外金相显微镜
该技术方案得益于精密光学设计、纳米级加工的集成式光学系统，容于常规金相显微镜（2寸-12寸）、常规体视显微镜（伽利略型及格林诺夫型）、常规工具显微镜、常规影像测量仪、超景深显微镜、大型龙门工业显微镜（MAX120寸）。MIR全系列工业显微镜,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸，能够穿透样品表面，进行无损观察检测，检测效果好、速度快，大幅提升了客户效率。本系列显微镜可根据客户要求定制滤片、镜头、相机、平台，可搭配自动传动设备。
MIR100红外显微镜——VECSEL芯片无损红外透视显微解决方案
第二代半导体（硅基）
20世纪90年代以来，随着移动通信的快速发展，以光纤通信和互联网为基础的信息高速公路的兴起，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料开始涌现。
垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser)，VMK系列、MM系列近红外2D、2.5D多年来服务于技术量产VECSEL芯片企业的研发、品检、生产中，提供了高性价比的VECSEL全设计波段无损检测解决方案。
垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，简称VCSEL，又译垂直共振腔面射型激光）是一种半导体，其激光垂直于顶面射出，与一般用切开的独立芯片制程，激光由边缘射出的边射型激光有所不同。常规的金相显微镜无法观测VECSEL产品，
以下为近红外显微镜MIR100拍摄的图片:效果图片请联系我司
1.1可见光VCSEL氧化孔径效果图
1.2 MIR100近红外显微镜VCSEL氧化孔径效果图
2.1可见光VCSEL氧化孔径效果图
2.2 MIR100近红外显微镜VCSEL氧化孔径效果图
红外金相显微镜应用范围：
1.封装芯片,晶圆级CSP/SIP的非破坏检查,倒装芯片封装的不良状况无损分析,
透过硅观察IC芯片内部；IR近红外线显微镜,可以对SiP（System in Package）三维组装,CSP（Chip Size Package）等用可视观察无法看到的领域进行无损检查和分析，正置红外显微镜,专用红外硅片检测显微镜,硅衬底的CSP观察。
2.Vcsel芯片隐裂（cracks),InGaAs瑕疵红外无损检测,LED LD芯片出光面积测量,Chipping(chip crack)失效分析,封装芯片的内部缺陷，焊点检查,键合片bumping,FlipChip正反面键合定位标记重合误差无损测量,可以定制开发软件模块快速自动测量重合误差,硅基半导体Wafer,碲化镉CdTe ,碲镉汞HgCdTe等化合物衬底无损红外检测,太阳能电池组件综合缺陷，红外检测,LCD RGB像元面积测量.
3.IR显微镜可用于透过硅材料成像,倒装芯片封装的不良状况无损分析,通过红外显微镜对硅片穿透可观察晶体生长过程中的位错,隐裂痕,芯片划片封装的不良状况无损分析,封装后的焊接部分检查,可直接穿透厚度不超过600μm的硅片,观察IC芯片内部,观察内部线路断裂,崩边,崩裂,溢出等,也应用于包括产品晶圆生产内部缺陷检查,短断路检查,键合对准（薄键合电路）.
在半导体与先进封装技术飞速发展的今天，如何透过材料表面看清内部微观结构，是提升良率的关键。苏州卡斯图电子有限公司坐落于苏州高新区，作为一家专业的近红外显微成像制造商，多年来深耕该领域，致力于为半导体、光电子及新材料行业提供高精度、稳定的无损检测解决方案。
作为一家技术驱动型企业，卡斯图电子自主研发的MIR系列红外显微镜，成功打破了国外在该领域的技术垄断。针对VCSEL（垂直腔面发射激光器）、MEMS（微机电系统）以及2.5D/3D封装检测中，传统光学显微镜无法穿透硅基材料的痛点，卡斯图利用近红外波段（700-1700nm）特有的穿透能力，能够轻松穿透硅材料。其设备可清晰呈现以下隐蔽缺陷，分辨率可达亚微米级：VCSEL氧化孔径、TSV（硅通孔）内部结构、芯片键合质量及内部裂纹。
卡斯图电子的产品线覆盖从实验室研发到晶圆量产的全场景需求，并提供定制化的光学系统与自动测量软件：MIR100/MIR400系列适用于实验室及研发阶段的精细分析；全自动MIR800系列集成高灵敏度InGaAs相机、双波长照明系统与智能对焦模块，支持4/6/8英寸晶圆的全自动、无人化检测，有助于提升产线的品控效率。无论是半导体芯片封装检测，还是化合物半导体（砷化镓、磷化铟）的材料分析，卡斯图都能提供“透视”级的专业支持。
选择苏州卡斯图，不仅是选择一台设备，更是选择一个能为VCSEL氧化孔径测量、MEMS键合工艺、倒装芯片失效分析等复杂问题提供专业方案的技术伙伴。公司秉持创新精神，持续推动近红外显微技术的国产化进程，致力于成为您身边值得信赖的“工业眼科”服务者。
联系方式：15850131032
