AZ正性光刻胶
超厚膜，高对比度，高感光度正型光刻胶，适用于半导体制造及GMR磁头制造。
特征：
参考工艺条件
前烘 ：100℃ 60秒 (DHP)
曝光 ：G线步进式曝光机/接触式曝光机
显影 ：AZ300MIF (2.38%) 23℃ 60秒
清洗 ：去离子水30秒
后烘 ：120℃ 60秒 (DHP)
剥离 ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化
预处理：烘涂粘附剂
旋涂：4000rad/min 30s
前烘： 110℃ 120-180s
曝光：荧光光源20-25s
显影：25%TMAH:H2O=1:7 40-60s
坚膜： 120℃ 120s
AZ 5214 E 图像反转光刻胶
这种特殊的光刻胶用于需要负壁轮廓的剥离技术。由酚醛清漆树脂和萘醌二叠氮化物作为光敏化合物（PAC）组成的正性光致抗蚀剂，它们也能够反转图像（IR），从而产生的掩模。
特 征
1）高分辨率，耐刻蚀，垂直性好
2）可反转成负胶
3）做lift-of工艺
4）制作电极
5）旋涂厚度从0.5到6μm
AZ®4500系列
具有粘附力的厚光刻胶
特点：
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）是正性厚光刻胶，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能：
l 优化对所有常见基材的附着力
l 宽广的工艺参数窗口，可实现稳定且可重复的光刻工艺
l 与所有常见的显影液兼容（基于KOH或TMAH）
l 与所有常见的去胶剂兼容（例如AZ100去胶剂、有机溶剂或碱性溶剂）
l 对g，h和i线敏感（约320-440 nm）
l 光刻胶厚度范围约 3-30微米
AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）的溶剂浓度不同，可达到的光刻胶膜厚有较大的范围：
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光刻胶型号 |
光刻胶膜厚范围 |
包装规格 |
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AZ ® 4533 |
转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达2.5-5 µm。 |
多规格包装，如1L、2.5L等 |
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AZ ® 4562 |
转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 µm；通过改变转速，膜后可达4.5-10 µm；调整旋转轮廓（中等旋涂速度下短时间旋涂），可达30 µm膜厚。 |
多规格包装，如1L、2.5L等 |
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