有一个普遍的误解,即有较大像元尺寸的图像传感器总是比有较小像元尺寸的图像传感器更灵敏,然而情况并非总是如此。为了解释为什么这是一个误传而不是事实,我们最好先看看图像传感器的像元大小会如何影响图像质量,尤其是对由量子效率决定的整体灵敏度的影响。
量子效率
光电检测器或图像传感器的“量子效率”(QE) 描述了入射光子与转换电荷载流子的比率,该电荷载流子作为信号从设备中被读出。在CCD、CMOS或sCMOS相机中,量子效率表示相机将光转换为电荷的效率,因此它是一个非常好的用来比较此类系统灵敏度的参数。当光或光子落在半导体(例如硅)上时,会产生多种不同机制的损耗。
图 1:具有能将光子转换为电荷载流子的光敏区域且厚度为d的半导体材料。
该图显示了当光穿透材料时光子通量会发生什么改变1。
图 1 展示了光子撞击具有光敏区域的半导体的结果分析。该图还显示了一条曲线,该曲线表示光照射到半导体并部分穿过它时的光子通量。正如橙色光子通量曲线所示,它的一部分因为表面反射而损失,因此采用适当的抗反射涂层可以有效地减少这种损失。
在此之后,一部分光子在半导体的光敏区域中被转换为电荷载流子,而其余部分则被传输。在此图表示的过程中,量子效率可以定义为:
这里,(1 − R)为材料表面的反射损失,可以通过适当的涂层来最小化;ζ为部分电子-空穴对(电荷载流子),对光电流有贡献并且没有在材料表面复合再结合;(1−e−α∙d)被半导体吸收的部分光子通量,因此厚度 d 应该足够大以增加该部分的贡献。
由于这些图像传感器的基本材料硅的不同吸收特性以及每个图像传感器的结构不同,它们的QE光谱也因此而不同。
图 2:测量的吸收系数和硅作为太阳能电池材料的渗透深度2。
这在图2中进行了说明,该图显示了太阳能电池中使用的硅的光谱相关吸收系数(见图2 – 蓝色曲线)。第二条曲线(见图2 – 红色曲线)描绘了光在硅中的穿透深度,是蓝色曲线的倒数,在本情况中,使用的材料很可能没有增透膜。Green和Keevers2 撰写的这篇论文还测量了硅的光谱相关反射率,这如图3所示,曲线代表上述量子效率方程中的因子R。
图 3:测量的硅反射率——硅作为太阳能电池中使用的材料3。
对于相机系统来说,通常会给出整个相机系统的QE,这包括了非材料相关的损失,如填充因子、窗口和盖板玻璃的反射等。在数据表中,此参数以百分比的形式给出,因此 50% 的 QE 意味着平均需要两个光子来生成一个电荷载流子(电子)。
像元大小和填充因子
像元的填充因子(见图 4)描述了感光面积与像元总面积的比率。图像传感器中像元的一部分面积总是被用于晶体管、电线、电容器或寄存器的布置,这是相应图像传感器(CCD、CMOS、sCMOS)的像元结构部分;而只有光敏感部分可有助于被检测到的光转换为电荷载流子。
图4:具有不同填充因子的像元(蓝色区域对应于光敏区域):
[a] 填充因子为75 %的像元,[b] 填充因子为50%的像元和在上方放置微透镜的[c]填充因子为50%的像元。
图 5:具有不同填充因子的像元(蓝色区域对应于光敏区域)和照射它们的光线(橙色箭头)的横截面图。虚线光线表示该光对信号没有贡献:[a]填充因子为75%的像元,
[b] 填充因子为50%的像元,[c] 在顶部加微透镜且填充因子为50%的像元。
如果填充因子太小4,通常通过加微透镜来提高填充因子。透镜镜头收集照射到像元上的光线,并将光线聚焦到像元的感光区域(见图5)。
表 1:参数之间的关系
尽管采用微透镜对于填充因子低于100%的像元总是有帮助的,但仍有一些物理和技术上的限制需要考虑。(见表2)
表 2:一些限制
像元尺寸和光学成像
图 6:使用基于薄透镜的简单光学系统进行的光学成像,其特征在于一些几何参数:
f - 镜头焦距,Fo - 物侧镜头的焦点,Fi - 像侧镜头的焦点,xo – Fo 和物体之间的距离 = 物距,
xi – Fi和 成像之间的距离,Yo - 物体尺寸,Yi – 成像尺寸
图 6 展示了基于薄透镜的简单光学系统的光学成像。在这种情况下,牛顿成像方程是有效的:
或者使用高斯透镜方程:
放大倍数 M 由成像尺寸 Yi 与物体尺寸 Y0 的比率给出:
尾注:
- 图像灵感来自于Figure 17.1-1, “Fundamentals of Photonics”, B.E.A. Saleh and M.C. Teich, John Wiley & Sons, Inc., 1991.
- 数据来自于 Green, M.A. and Keevers, M. “Optical properties of intrinsic silicon at 300 K”, Progress in Photovoltaics, p.189-92, vol.3, no.3; (1995).
- 数据来自于 Green, M.A. and Keevers, M. “Optical properties of intrinsic silicon at 300 K”, Progress in Photovoltaics, p.189-92, vol.3, no.3; (1995).
- 填充因子可以很小,例如:行间传输 的CCD 图像传感器的像元,它的35% 的像元区域用于移位寄存器或CMOS传感器的全局快门,其中晶体管和电引线导致40%的填充因子。
- 对于一些大像元,使用效率较低的微透镜仍然可能有用,例如,如果透镜可以防止过多的光落在像元的外围。
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