失效分析是对于电子元件失效原因进行诊断，在进行失效分析的过程中，往往需要借助仪器设备，以及化学类手段进行分析，以确认失效模式，判断失效原因，研究失效机理，提出改善预防措施。其方法可以分为有损分析，无损分析，物理分析，化学分析等。其中在进行微观形貌检测的时候，尤其是需要观察断面或者内部结构时，需要用到离子研磨仪+扫描电镜结合法，来进行失效分析研究。

离子研磨仪目前是普遍使用的制样工具，可以进行不同角度的剖面切削以及表面的抛光和清洁处理，以制备出适合半导体故障分析的 SEM 用样品。

离子研磨仪的基本原理

案例分享 1：晶片失效分析思路和方法

1. 优先判断失效的位置

2. 锁定失效分析位置后，决定进行离子研磨仪进行切割

3. 离子研磨仪中进行切割

4. 切割后的样品，放大观察

5. 放大后发现故障位置左右不对称

6. 进一步放大后，发现故障位置挤压变形，开裂，是造成失效的主要原因

7. 变形开裂位置（放大倍数：20,000x）

8. 变形开裂位置（放大倍数：40,000x）

案例分享 2：IC 封装测试失效分析

                 1. 对失效位置进行切割                                2. 离子研磨仪中进行切割

3. 位置1. 放大后发现此处未连接。放大倍数：30,000x

4. 位置2. 放大后发现此处开裂。放大倍数：50,000x
 

案例分享 3：PCB / PCBA 失效分析

TECNOORG LINDA SC-2100

· 适用于离子束剖面切削、表面抛光

· 可预设不同切削角度制备横截面样品

· 可用于样品抛光或最终阶段的细抛和清洁

· 超高能量离子枪用于快速抛光

· 低能量离子枪适用后处理的表面无损细抛和清洁

· 操作简单，嵌入式计算机系统，全自动设定操作

· 冷却系统标准化，应用于多种类样本

· 高分辨率彩色相机实现实时监控抛光过程