GMPS模块化等离子系统的设计理念

GMPS系列模块化等离子系统具有革新并可靠的等离子设备对于成功的等离子工艺开发成功起到决定性的作用。高品质等离子系统提供广泛的等离子工艺参数、高重复性并且可根据新的等离子工艺开发需要改造成新的等离子系统设备。

GMPS-150/200/300系列模块化等离子系统干法工艺工具满足以上需要。我们的模块化设计理念，超过40款等离子模块可供选择；提供客户配置一套满足特殊需要的等离子系统设备。同时，该等离子系统设备保留添加模块的功能，满足未来的工艺开发需要。

我们的模块化等离子工艺系统是特别为研究、工艺开发及批量生产的需要而设计制造。在设计制造该模块化等离子系统时，我们慎重考虑工程学、可重复工艺控制、与干法工艺相关的测量及控制低压真空的准确性；基片温度控制、等离子蚀刻均匀性、维护方便及操作人员安置等诸多方面。

下面是基于模块化工艺系统的不同等离子工艺模块的技术描述。用户可比较该系统的技术规格参数及多功能性，可联系GIK探讨如何帮助客户解决等离子工艺开发的挑战。

GMPS模块化等离子系统具有如下特点

• 满意任何等离子应用的硬件配置

• 具有最广泛的适配等离子工艺

• 业内认可的等离子系统设计方案，可批量处理基片

• 可选择40多款模块化部件

• 等离子系统采用高品质、可靠性高的主要部件；

• 方便维护及修理

• 二年质保

• 可签署技术维护协议

• 原装进口

 

基础系统
无论客户的需要是反应离子刻蚀(RIE), 物理气相沉积(PVD), 化学气相沉积(CVD), 等离子蚀刻(Plasma Etch), 高密度等离子(HDP)或是任何的混合应用。基础系统的设计可容纳任何的等离子工艺模块，以便满足特定的需要。系统基础单元包括一个多功能的处理舱、高导电真空系统配备自动下游压力控制。系统单元标配温度补偿电容式真空计及质量流量计。为方便维护、该系统单元装配在一个多功能的机柜内，配备拉启侧板，方便维护ISO/KF真空管件。标准的48厘米支架用于简化等离子系统的电子系统的安装。不锈钢材质的工艺处理舱的三项模块化设计可方便定制。配套接口可使用户添加不同部件的灵活性。

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多功能真空反应舱可根据需要配置满足如下等离子工艺需要：

反应离子刻蚀RIE ；等离子刻蚀 PE ；应耦合等离子 ICP；

 

1/2/3 蒸镀源

 

等离子增强化学气相沉积PECVD：

500C - 1000C

 

晶圆片/基片尺寸Wafer/Substrate Sizes：

150mm – 200mm – 300mm

 

GMPS系列模块化等离子系统可选配如下晶圆片/基片装载形式LOADING OPTIONS：

 

单晶圆片Single Wafer or Platen，双晶圆片Dual Wafer or Platen，料盒尺寸Cassette 75-300mm、多舱体构造Cluster 多个真空反应舱体

 

用户可根据等离子工艺需要选购不同的等离子体源。模块化等离子工艺系统配备固定电源，风凉配置。电源功率从300至5000瓦、射频频率从50-450kHz,13.56MHz及直流电源可供选择。及时电源匹配器可以直接置于系统中，以便获取最佳射频性能。

GMPS系列模块化等离子系统可选配如下等离子射频电源PLASMA SOURCES

 

直流电源DC Power:500-5000W、低频电源LF Power：50-450 kHz、射频电源RF Power：13.56 MHz、高密度等离子HDP：300-1000W

 

GMPS系列模块化等离子系统配套真空泵浦系统VACUUM PUMPS
所有的等离子系统均采用机械泵浦，用于腐蚀性/氧气服务处理工艺。此外、其它不同匹配等离子产生的真空泵浦类型及尺寸均可选购。等离子系统可配备罗茨鼓风机泵浦、涡轮分子泵浦、低温泵浦，  分子拖曳泵浦，无油干式泵浦、冷槽或是组合配置。真空泵浦置于系统侧面，方便获取最佳性能。

GMPS系列模块化等离子系统可选配如下真空泵浦系统VACUUM PUMPS：
机械泵浦Mechanical Pump、罗茨鼓风机泵浦Roots Blower、涡轮分子泵浦Turbo Pump、无油干式泵浦Dry Pump

 

可选配等离子设备也可供选择，以便满足定制性设备的需要。这些模块化的等离子选配件包括：气体密封舱用于有毒或是腐蚀性工艺气体的使用、机械手装载系统及装载互锁（LoadLock）、先进的计量设备、强大的激光/光学CCD终点探测系统（endpoint detection systems）温度控制单元、配套装配用法兰、定制工装夹具及其它可选配件。

GMPS系列模块化等离子系统 电极模块ELECTRODE MODULES
GMPS系列模块化等离子系统的电极配置特别为用于低压真空干法工艺系统设备的高性能运行而设计。上极板（阳极）是下极板（阴极）的两倍尺寸，这种不对称设计可真正应用反应离子刻蚀（RIE）。阳极具有无限电极间距调节功能，通过手动或电极驱动远程驱动系统。为了获取最大的均匀性，一套“喷头”式工艺气体供应系统也采用其中。阴极的温度控制提供热交换器控制，温度可在-70 至 1000ºC范围内控制。我们模块化的物理气相沉积 (PVD)设计提供单个或多个物理气相沉积标靶设置，满足不同镀膜需要。在一些镀膜工艺中取得小于1%镀膜均匀性。我们与用户协同开发定制满足不同工艺需要的等离子设备：包括选材、特别镀膜和电极配置。

GMPS系列模块化等离子系统工艺控制PROCESS CONTROL

等离子工艺控制的水平决定等离子系统的可控性。出于经济考虑，可配备手动系统，如果用户的等离子处理工艺需要非常苛刻，基于Windows®的电脑控制平台采用开放式软件，可用于工艺控制并且具备无限能力。

 

GMPS系列模块化等离子系统升级UPGRADES

GMPS系列模块化等离子系统的模块化设计理念可容纳为了系统的扩展应用。标准及OEM部件在系统中普通使用，允许在需要时扩展更多模块化部件。

 

GMPS系列模块化等离子系统有如下型号及系列可供选择：

GMPS-RIE反应离子刻蚀机：

Ø  目前市面上用于R&D或是小批量生产的最佳等离子系统;

Ø  可对如下材料进行蚀刻：二氧化硅SiO2, 氮化硅SiNx, TiW, 砷化镓GaAs, resist, ILD, 聚酰亚胺polyimide, micromachining (MEMS), photonics, HTSC's及失效分析;

Ø  可容纳从大小的任何尺寸基片，晶圆片，平板或定制封装。

Ø  方便使用、维护简单。

Ø  安全、坚固设计包装可靠性高及可观的正常运行时间。

Ø  真空处理舱结构有五块简单的部件制造而成，具有多功能、方便升级的特点。

Ø  多用途等离子工艺包，不受工艺记忆影响。

GMPS-PEVCD等离子增强化学气相沉积系统:

Ø  高性能低价位等离子增强化学气相沉积系统；

Ø  可沉积镀膜如下薄膜：SiO2, SiNx, Amorphous Si, Oxynitride 及 carbon films；

Ø  低温钝化、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物；

Ø  可配置成为PEVCD等离子增强化学气相沉积系统或是电子回旋共振(ECR)沉积系统；

Ø  安全联锁装置符合严格的安全要求；

Ø  采用残余剥离冷冻泵，保证了低氢含量薄膜；

Ø  最新科技，混合等离子电源配置及脉冲射频选配用于应力控制；

Ø  闭环(PID)沉积镀膜温度控制；

Ø  独特的“直连”系统制造技术，方便日后系统设备的维护及升级；

Ø  高性能低价位物理气相沉积系统；

Ø  Al, Au, AlSi, Cu, AlCuSi 薄膜金属化；

Ø  SiO2, SiNx, TaN, TiNx 薄膜；

Ø  低温钝化、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物；

Ø  可配置成单靶或多靶沉积系统工具；

Ø  可选配直流或射频电源溅射；

Ø  安全联锁装置符合严格的安全要求；

Ø  采用残余剥离冷冻泵，保证了低氢含量薄膜；

Ø  独特的“直连”系统制造技术，方便日后系统设备的维护及升级；

 

GMPS-HDP高密度等离子系统：

高密度等离子系统设备提供产生具有活性非常高的等离子体，且对基片/晶圆片爆射较低的特性。较高的等离子蚀刻（或等离子沉积）速率及较低的温度工艺处理温度仅仅是高密度等离子体（HDP）的两点优势。GMPS-HDP高密度等离子系统采用基本的反应离子刻蚀（RIE）（或等离子增强化学气相沉积系统PEVCD）平台建造，采用获得专利、可靠性高、  磁耦合等离子体（MCP）电源产生高离子通量。鉴于独特的磁耦线圈设计及低频率，磁耦合等离子体（MCP）电源比电子回旋共振(ECR)沉积系统具有更高的可靠性。通常GMPS-HDP高密度等离子系统用于蚀刻，也可用于沉积。

Ø  SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD and polyimide, micromachining (MEMS), photonics, HTSC's, 及失效分析;

Ø  可容纳从1~12英寸大小的任何尺寸基片，晶圆片，平板或定制封装；

Ø  溅射靶聚焦电磁，具有良好的过程过程均匀性；

Ø  方便使用、维护简单；

Ø  安全、坚固设计包装可靠性高及可观的正常运行时间；

Ø  真空处理舱结构有六块简单的部件制造而成，具有多功能、方便升级的特点；

Ø  可选配等离子刻蚀（Plasma etch）, 反应离子刻蚀（RIE）, 等离子增强化学气相沉积（PECVD）, 及电子回旋共振(ECR) 电源 ；

Ø  特别适用于腐蚀性及危险化学工艺处理；

Ø  安全减少微粒子污染；

Ø  可蚀刻金属、poly, Si trench, refractory silicides, III-V features, GaAs backside vias, 或沉积 ILD's；

Ø  可处理任何尺寸、形状的基片，最大可达300mm;

Ø  消除水蒸气及其它污染物；

Ø  独特的基片/晶圆片装载机械手-可靠性高、操作简便且具有自动对对准功能；

Ø  快速抽真空。提高等离子处理产量。

该等离子蚀刻系统是一款基础型的等离子蚀刻系统功能工具，可以配置咋等离子蚀刻或反应离子蚀刻模式下运行。是一款性能杰出的实验室设备，也可用于小批量生产领域。

Ø  可供给电源给上电极或下电极；

Ø  可蚀刻SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD、polyimide, micromachining (MEMS), photonics及 HTSC's

Ø  可容纳从1~12英寸大小的任何尺寸基片，晶圆片，平板或定制封装；

Ø  方便使用、维护简单；

Ø  真空处理舱结构有五块简单的部件制造而成，具有多功能、方便升级的特点。

Ø  多用途等离子工艺包，不受工艺记忆影响。

 GMPS-17-MC多功能等离子系统：

Ø  特别为研发实验室的需要设计制造；

Ø  多真空处理腔体，满足不同处理工艺或化学需要；

Ø  可配置用于反应离子蚀刻RIE、 电子回旋共振(ECR) ECR 或等离子增强化学气相沉积PECVD 应用需要；

Ø  可定制用于特别工艺处理需要；

Ø  提供广泛的控制及监控分析配置；

Ø  真空泵浦及电源公用，可减少投入；

Ø  广泛用于世界范上的大学及公司的研发实验室；

GMPS-PL多腔体等离子系统是一款革命性的的GMPS模块化等离子处理系统。鉴于众多的GMPS用户已经从研发阶段步入生产领域，用户需要一款等离子处理产量更高的系统工具，我们选装200 或 300mm转移平台作为该多腔体等离子系统的核心部件。根据等离子工艺处理需要，该平台运行选择多大三款标准模块化部件。在合理的费用预算前提下，GMPS-PL多腔体等离子系统提供了一款定制的多腔体处理设备。

Ø  多真空处理腔体，满足不同处理工艺或化学需要；

Ø  可配置用于反应离子蚀刻RIE、 电子回旋共振(ECR) ECR 或等离子增强化学气相沉积PECVD 应用需要；

Ø  在不破坏真空舱内真空的情况下，提供多层工艺处理需要；

Ø  蚀刻金属, poly, Si trench, refractory silicides, SiO2, SiNx, TiW, GaAs, resist, ILD and polyimide, III-V features, GaAs backside vias, micromachining (MEMS), photonics, or HTSC's

Ø  可沉积 SiO2, SiNx, Amorphous Si, Oxynitride 及 carbon films, 或低温钝化、ILD薄膜用于III-V 及HTSC化合物

Ø  可选配300mm料盒装载平台；

Ø  特别适用于腐蚀性及危险化学工艺处理；

Ø  消除水蒸气及其它污染物；

Ø  可处理任何尺寸或形状的基片/晶圆片最大可达300mm，包括平板或是定制封装；

Ø  方便使用、维护简单；

Ø  安全、坚固设计包装可靠性高及可观的正常运行时间；