法国研究团队使用了4个量子级联激光器(QCL)芯片作为光源,这些芯片位于一个外部腔(MIRCAT系统,Daylight Solutions)中,工作在脉冲状态(100 kHz重复频率,500 ns脉冲宽度),范围从5.08 μm到11.21 μm。从该系统发出的光被耦合到先前使用ZnSe非球面透镜描述的螺旋波导中,并在输出处使用类似的透镜收集。他们使用的光斑分析设备是DATARAY的WinCamD-IR-BB。
图a给出了实验装置的示意图,图b给出了在6.6 cm长的波导输出处采集的TE模式在模式分析器上拍摄的图像。对于激光系统中四个不同的QCL中的每一个,发射的光被耦合到给定长度的波导中,然后收集输出信号,一旦使用模式分析器确保正确的耦合,就会发送到HgCdTe探测器以测量输出的归一化功率。输入和输出对准在每个QCL的增益频谱的中心位置进行,然后测量输出信号的强度,而输入波长扫过给定QCL的输出频谱。该测量是针对每个QCL和可测量的波导长度进行的。
计算侧壁粗糙度、自由载流子吸收和多声子吸收的模型用于计算SiGe波导中的传播损耗。
团队使用了从模拟传播损耗(也就是研究的所有所关注的贡献之和)出发来定义传播损耗,结果以黑体画出在上图中。结果显示,在5到9微米的范围内,这个模型给出了一个不错的估算。然而,在9微米以上的波长范围内,实验测量与理论模型之间存在一个差值低于2分贝每厘米。除此之外,还列举了几个可能的原因来解释这一差异。首先是模拟模型没有考虑梯度层中的残余应变——该模型未考虑梯度层中残余应变,它会影响晶格结构的散射关系,并从而影响多波吸收。然而,目前没有相关的研究探讨多波吸收与SiGe alloys中的缺陷的关系。其次可能是梯度层中存在缺陷,在这种情况下,缺陷可以对较大的光子波长产生更多影响,因为光学模式的尺寸增加,从而与这些缺陷发生重叠。但对缺陷密度与传播损耗之间的关系进行精确量化是十分困难的。
综上所述,本文制备了Ge-掺杂SiGe光学波导,覆盖了5到11微米的所有波长范围。在5到7微米的范围内,损失量低于0.5dB/cm。一直到11微米,损失值仍控制在合理范围内。而且损失量可以进一步减小,通过减少p型掺杂的残留浓度到低于2×1014/cm³的水平,但这种处理可能相对困难。此外,可以通过使用掺杂补偿技术将波导转换为n型或无掺杂状态来降低传播损耗,这在Si和Ge中都表现良好。
Dataray中红外光束质量分析仪
Dataray的WinCamD-IR-BB是专为红外波段设计的相机型光束分析仪,可分析MWIR与FIR范围内的光束质量,具有高灵敏度。
WinCamD-IR-BB采用氧化钒(VOx)微测热辐射计,可探测波长范围达2-16µm,在像素尺寸17x17µm的情况下靶面范围有10.88x8.16mm,并拥有640x480的分辨率。
WinCamD-IR-BB拥有USB3.0接口,可以直接连接电脑并使用专用的Dataray软件进行光斑轮廓以及光束信息的分析与记录。
中红外光谱仪与光源
NLIR 2-5 μm 中红外光谱仪采用了一种新颖的测量结构。该结构基于上转换技术,可以将中红外光转为近可见光。近可见光硅基探测器在探测能力、速度、噪声等方面的性能都远优于中红外探测器。
NLIR的长波长光谱仪的原型版本覆盖7.6 μm 至12.0μm(1316 cm-1至833 cm-1)。该光谱仪目前具有50 Hz的全光谱读出速率和10 cm-1的分辨率,全孔径曝光时灵敏度为200 pW/nm(-67 dBm/nm)。
瑞士Arcoptix公司红外光谱仪具有小巧紧凑,高性价比,高分辨率,宽波长范围,高灵敏度等优点。近红外光谱仪覆盖范围达900-2600nm,紫外覆盖型号则可以扩展到200-2600nm,而中红外专用款式则可以检测到2-16μm波段范围内。
Arcoptix傅里叶变换红外光谱仪与光栅光谱仪不同,不会受到二阶三阶衍射谱的影响。没有增益波动、暗电流波动和像素缺陷,适用于光纤系统以及空间光系统。
Arcoptix也提供波长范围覆盖近红外(0.4-4µm)和中红外(1-25µm)的两款光源,带有可卸载的光纤耦合器,可以在自由空间光或者光纤耦合输出中随意选择。
参考