
核心导读
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图1 论文中的合成路线、木质素活化证据、QCM- D频移结果与Ru/RuO2异质界面结构表征。
图2 HER相关性能图:Ru/RuO2@HLC在过电位、Tafel斜率、ECSA与稳定性方面均显著领先。先说结论
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图3 原位Raman与原位EQCM联合揭示不同偏压下Ru/RuO2界面的演化;OER出现明显失重,而HzOR几乎不腐蚀。| 指标 | 数值 | 解读 |
| HAL总酚羟基 | 5.40 mmol/g | AL为2.20 mmol/g,说明水热活化显著暴露配位位点 |
| QCM频移(HAL吸附Ru3+) | 49 Hz | 明显高于AL的23 Hz,直接证明HAL更擅长抓取Ru3+ |
| HER过电位 | 12 mV @ 50 mA/cm² | 500 mA/cm²时仅112 mV,优于Pt/C |
| HzOR工作电位 | 0.03 V @ 100 mA/cm² | 相较OER大幅降低阳极负担 |
| 肼辅助全电解OHzS | 0.14 V @ 100 mA/cm² | 常规整体水分解OWS需1.78 V |
| 自驱动系统产氢速率 | 2.32 mmol/h | H2/N2≈1.96,法拉第效率接近100% |
| 原位EQCM质量变化 | OER质量损失11.96% / HzOR仅0.28% | 显示肼氧化条件下界面腐蚀显著受抑 |
| 关键理论能垒 | *2NH→*2N = 1.31 eV | Ru/RuO2电子桥显著降低速率决定步门槛 |
图4 OER、HzOR与整体肼辅助电解(OHzS)性能对比:Ru/RuO2@HLC显著降低体系电压。
图5 自驱动肼-水分解装置及其产氢表现:实现室温条件下连续产氢。
图6 DFT与差分电荷密度分析:Ru/RuO2界面中的电子注入与关键反应能垒降低。